%0 Journal Article
%T 多次聚合法制备多孔聚吡咯厚膜及其电化学容量性能
%A 王杰
%A 徐友龙
%A 孙孝飞
%A 肖芳
%A 毛胜春
%J 物理化学学报
%D 2007
%X 为了得到高面积比容量的聚吡咯(ppy)膜超级电容器电极材料,用多次聚合法合成了ppy厚膜,聚合电量分别为8、10和12mah·cm-2,掺杂离子分别为氯离子和对甲基苯磺酸根离子(tos-).ppy膜的电化学性能采用恒电流充放电、循环伏安(cv)和电化学阻抗谱(eis)等方法测试.研究表明,多次聚合法可以制备表面平整且内部均匀多孔的ppy厚膜.在聚合电量为12mah·cm-2时,用cl-、tos-两种离子掺杂的ppy厚膜的面积比容量高达5f·cm-2,并表现出理想的电化学容量性能.同时ppy-cl厚膜的质量比容量达到330f·g-1,ppy-tos厚膜的质量比容量略低(191f·g-1),但具有更快的充放电速率.与一次聚合法合成的ppy薄膜相比,多次聚合法合成的ppy厚膜的质量比容量没有降低.通过场发射扫描电镜(sem)观察了一次聚合法和多次聚合法制备的ppy厚膜的截面形貌,并讨论了多次聚合法的合成机理.
%K 聚吡咯
%K 超级电容器
%K 容量
%K 形貌
%K 多孔
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract22054.shtml