%0 Journal Article
%T (ce0.9nd0.1)1-xmoxo2-δ(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能
%A 夏燕杰
%A 周德凤
%A 孟健
%J 物理化学学报
%D 2009
%X 采用溶胶-凝胶法合成(ce0.9nd0.1)1-xmoxo2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过x射线衍射(xrd)、场发射扫描电镜(fesem)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量moo3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200℃烧结样品24h,测试温度700℃时,(ce0.9nd0.1)1-xmoxo2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19s·m-1,掺mo材料(ce0.9nd0.1)1-xmoxo2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96s·m-1.
%K 钕掺杂氧化铈
%K 氧化钼
%K 微观结构
%K 晶界电导率
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract26602.shtml