%0 Journal Article
%T 不同类型gaas上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工
%A 汤儆
%A 王文华
%A 庄金亮
%A 崔晨
%J 物理化学学报
%D 2009
%X 应用约束刻蚀剂层技术(celt)对gaas进行电化学微加工.研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、gaas类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对gaas刻蚀加工过程的影响.循环伏安实验表明,br-可以通过电化学反应生成br2作为刻蚀剂,l-胱氨酸可作为有效的捕捉剂.celt中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面,模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时,刻蚀剂可以对gaas进行加工.利用表面具有微凸半球阵列的导电模板,可以在不同类型gaas上加工得到微孔阵列.实验结果表明:在相同刻蚀条件下,gaas的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关,刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大;在加工过程中,p-gaas相对于n-gaas和无掺杂gaas受到阳极氧化过程的影响较为显著,p-gaas表面易生成氧化物层,影响电化学微加工过程.x射线光电子能谱(xps)和极化曲线实验也证明了这一点.
%K 阳极溶解
%K 砷化镓
%K 约束刻蚀剂层技术
%K 刻蚀剂
%K 捕捉剂
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract26656.shtml