%0 Journal Article
%T 不同状态下聚吡咯膜的电化学阻抗
%A 李胜
%A 邱于兵
%A 郭兴蓬
%J 物理化学学报
%D 2010
%X 用恒电流法分别聚合了掺杂对甲苯磺酸根(pts-)和十二烷基磺酸根(ds-)的聚吡咯膜(ppy/pts和ppy/ds),通过循环伏安法(cv)和电化学阻抗法(eis)测试了聚吡咯膜在nacl溶液中‘过电位’电化学过程前后及不同电位下聚吡咯膜的电化学性能.同时,通过嵌入和脱出na+和cl-离子的聚吡咯膜在特定溶液中电化学阻抗图谱,研究了离子的嵌入对聚吡咯膜电化学性能的影响.结果表明‘过电位’现象可以提高聚吡咯膜的离子电导率和膜电容,cl-离子的嵌入能提高ppy/pts的电导率,而na+离子的嵌入对聚吡咯膜的电导率影响不大.另外,嵌入离子对聚吡咯膜形貌的改变会对聚吡咯膜的离子传导率有一定影响,从而导致膜的电化学阻抗的变化.
%K 循环伏安
%K 聚吡咯
%K 电化学阻抗
%K 离子交换
%K 过电位
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract26929.shtml