%0 Journal Article
%T hf在α-alf3(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
%A 刘瑞
%A 滕波涛
%A 全洁丽
%A 郎佳健
%A 罗孟飞
%J 物理化学学报
%D 2013
%X 利用密度泛函理论系统研究了不同覆盖度下hf在3f、2f、1f与al终端的α-alf3(0001)表面的吸附行为,分析了hf与不同终端表面相互作用的电子机制.计算结果表明:hf在3f终端的α-alf3(0001)表面物理吸附;在2f及1f终端表面化学吸附,形成al-f键和fhf结构,使hf分子活化,可以参加下一步的氟化反应;在al终端表面解离吸附形成al-f与al-h键.3f、2f、1f及al终端表面配位不饱和数目分别为0、1、2与3配位.不同覆盖度研究表明,在2f终端表面上,吸附一个hf分子使表面al配位达到饱和,后续吸附的hf为物理吸附;而在1f与al终端表面仍可化学吸附.因此,推测α-alf3暴露不同终端表面中al原子配位不饱和数越高,其对hf吸附与活化能力越强,可能的氟化催化反应活性越高.差分电荷密度与电子态密度分析表明,hf与3f终端α-alf3(0001)表面发生弱相互作用,而与2f、1f与al终端表面形成较强的电子相互作用.
%K 氟化氢
%K α-alf3(0001)
%K 密度泛函理论
%K 差分电荷密度
%K 电子态密度
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28305.shtml