%0 Journal Article
%T in2o3敏化zno纳米棒阵列的性能及其光电催化活性
%A 闫伟平
%A 王德军
%A 陈礼平
%A 卢永春
%A 谢腾峰
%A 林艳红
%J 物理化学学报
%D 2013
%X 以掺氟sno2(fto)导电玻璃为基底,采用水热法制备了zno纳米棒阵列.通过in(no3)3水溶液水洗的方法,合成了in2o3敏化zno纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(fesem),x射线能谱(edx),x射线衍射(xrd)及紫外-可见漫反射光谱(uv-visdrs)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明b(rhb)为目标降解物,探究了in2o3敏化zno纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(fispv)研究了不同含量的in2o3敏化zno纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着in2o3敏化量的改变,光电流和开路电压也随之改变.并探讨了in2o3敏化zno纳米棒阵列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系.结果表明,适量in2o3敏化的zno光催化剂在可见光下2h内对罗丹明b的降解效率达到95%,是单纯zno纳米棒阵列的2.4倍.
%K in2o3敏化zno
%K 纳米棒阵列
%K 光电流密度-电位
%K 光电流
%K 挡光-照光
%K 表面光电压
%K 可见光光电催化活性
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28396.shtml