%0 Journal Article
%T 硅基支撑系统的光刻工艺
%A 罗跃川
%A 张继成
%J 强激光与粒子束
%P 2673-2676
%D 2012
%X ？为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度，用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响，得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络，对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选，并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55μm时，前烘温度100℃，时间90s;曝光时间5s;显影温度15℃，时间90s时，光刻后图形的线宽偏差最小，达到了0.3μm以下。
%K 硅基支撑系统
%K 光刻
%K 线宽偏差
%K 正交试验
%K bp神经网络
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract6835.shtml