%0 Journal Article
%T 808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计
%A 杨晔
%A 刘云
%A 秦莉
%A 王烨
%A 梁雪梅
%A 李再金
%A 胡黎明
%A 史晶晶
%A 王超
%A 王立军
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2011
%X ？采用激射波长为808nm的gaas/algaas梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片，制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列，并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊形台面和隔离沟道后，激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深，对电流侧向扩散的限制作用增强，从而提高了阵列性能。
%K 半导体激光器线阵列
%K 隔离沟道
%K 腐蚀深度
%K 电流扩散
%K 电流分布
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4278.shtml