%0 Journal Article
%T 集成电路器件微波损伤效应实验研究
%A 方进勇
%A 申菊爱
%A 杨志强
%A 乔登江
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2003
%X ？主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明：集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大，随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂，总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低，但存在一拐点区域（约100ns），在此区域后，脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布，且方差较小，因此，器件的损伤概率近似于0~1分布。
%K 集成电路
%K 微波损伤效应
%K 高功率微波
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract130.shtml