%0 Journal Article
%T 基于金属氧化物半导体场效应管的marx发生器
%A 刁文豪
%A 江伟华
%A 王新新
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2010
%X ？给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（mosfet）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用dc-dc转换器，这不仅有利于保护实验设备，而且对marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的marx发生器级数为16级，并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。
%K 脉冲功率
%K 高电压
%K 半导体开关
%K marx发生器
%K 金属氧化物半导体场效应管
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4470.shtml