%0 Journal Article
%T 2.0μm波段sb基多量子阱材料的制备
%A 李占国
%A 尤明慧
%A 邓昀
%A 刘国军
%A 李林
%A 高欣
%A 曲轶
%A 王晓华
%J 强激光与粒子束
%P 505-507
%D 2013
%X ？采用分子束外延外延生长技术，优化ingaassb/algaassb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数，获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明，材料的发光波长为2.0μm左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料，可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22mw，阈值电流300ma。
%K 多量子阱
%K 分子束外延
%K 中红外波段
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract7164.shtml