%0 Journal Article
%T 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律
%A 王古森
%A 王洪广
%A 戚玉佳
%A 李永东
%J 强激光与粒子束
%D 2014
%X ？采用silvacotcad软件,对p+-p-n-n+sos结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括n+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明：随着n+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4ns的输出脉冲。
%K 半导体断路开关
%K 数值模拟
%K 截断特性
%K 脉冲宽度
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract9104.shtml