%0 Journal Article
%T 超高速大电流半导体开关实验研究
%A 周郁明
%A 余岳辉
%A 梁琳
%A 陈海刚
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2006
%X ？利用自行研制的固态半导体开关rsd，采用电容储能方式，研究了rsd的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等。在测试rsd的电压响应时间时，得到了25ns的电压下降曲线。在主电容电压为8kv时，得到峰值为10.1ka、脉宽为34μs、电流上升率为2.03ka/μs的大电流脉冲。通过调整主电路，在主电容为3kv时，得到的电流脉冲峰值为8.5ka、脉宽为2.5μs、电流上升率为7.2ka/μs。结果表明，rsd是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件。
%K 半导体开关
%K rsd
%K 等离子体
%K 大电流
%K 电流上升率
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract2520.shtml