%0 Journal Article %T 超高速大电流半导体开关实验研究 %A 周郁明 %A 余岳辉 %A 梁琳 %A 陈海刚 %J 强激光与粒子束 %P 0-0 %D 2006 %X ?利用自行研制的固态半导体开关rsd,采用电容储能方式,研究了rsd的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等。在测试rsd的电压响应时间时,得到了25ns的电压下降曲线。在主电容电压为8kv时,得到峰值为10.1ka、脉宽为34μs、电流上升率为2.03ka/μs的大电流脉冲。通过调整主电路,在主电容为3kv时,得到的电流脉冲峰值为8.5ka、脉宽为2.5μs、电流上升率为7.2ka/μs。结果表明,rsd是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件。 %K 半导体开关 %K rsd %K 等离子体 %K 大电流 %K 电流上升率 %U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract2520.shtml