%0 Journal Article
%T 反熔丝fpga延时电路γ瞬时辐射效应
%A 杜川华
%A 詹峻岭
%A 徐曦
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2006
%X ？简要叙述了反熔丝fpga的基本结构，介绍了一种fpga延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法，给出了试验测量结果。分析表明：高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏fpga延时电路一个信号周期的工作状态，因此存在功能失效的可能性。但就整体而论，反熔丝fpga抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模cmos集成电路。
%K 反熔丝fpga
%K 延时电路
%K 辐射效应
%K γ剂量率
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract2490.shtml