%0 Journal Article
%T 采用alsb缓冲层生长2.3μmingaassb/algaassb多量子阱结构
%A 尤明慧
%A 高欣
%A 李占国
%A 刘国军
%A 李林
%A 李梅
%A 王晓华
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2010
%X ？针对常见的gasb衬底的ingaassb/algaassb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过x-射线测试，有多级衍射卫星峰出现，表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好，引入alsb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能，使alsb起到了一个滤板的作用，抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明，室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。
%K alsb缓冲层
%K ingaassb/algaassb多量子阱
%K 中红外
%K 锑化物
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract4610.shtml