%0 Journal Article %T 后退火对inxga1xas单层量子点光学性质的影响 %A 赵震 %J 强激光与粒子束 %P 0-0 %D 1999 %X ?研究了以gaas和al0.15ga0.85as为基体,当铟的摩尔分数(x)不同时,后退火对inxga1-xas单层量子点光致荧光(pl)谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品(x=0.23,0.37,0.50,1.0)的pl谱线宽度变窄和蓝移。对于gaas基体,在700℃退火90分钟所造成的pl谱蓝移与退火30分钟相似;(仅当x=0.23时,退火90分钟所造成的pl谱蓝移小于30分钟)。对于al0.15ga0.85as基体,在700℃退火30分钟和90分钟,其pl谱蓝移是不同的。 %K 量子点 %K 后退火工艺 %K 光致荧光 %K 注入式半导体激光器 %U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract1176.shtml