%0 Journal Article
%T 后退火对inxga1xas单层量子点光学性质的影响
%A 赵震
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 1999
%X ？研究了以gaas和al0.15ga0.85as为基体,当铟的摩尔分数（x）不同时,后退火对inxga1-xas单层量子点光致荧光（pl）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（x=0.23,0.37,0.50,1.0）的pl谱线宽度变窄和蓝移。对于gaas基体,在700℃退火90分钟所造成的pl谱蓝移与退火30分钟相似;(仅当x=0.23时,退火90分钟所造成的pl谱蓝移小于30分钟)。对于al0.15ga0.85as基体,在700℃退火30分钟和90分钟,其pl谱蓝移是不同的。
%K 量子点
%K 后退火工艺
%K 光致荧光
%K 注入式半导体激光器
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract1176.shtml