%0 Journal Article
%T x射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算
%A 牟维兵
%A 陈盘训
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2001
%X ？当x射线射入不同材料组成的界面时,在低z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用mcnp蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在x射线能量为100~150kev时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。
%K x射线
%K 界面
%K 辐射损伤
%K 剂量增强因子
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract1420.shtml