%0 Journal Article
%T 微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟
%A 郭红霞
%A 张义门
%A 陈雨生
%A 周辉
%A 陈世斌
%A 龚仁喜
%A 关颖
%A 韩福斌
%A 龚建成
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2002
%X ？用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在wirth-rogers光电流模型的基础上，增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底（准中性区）电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路pn结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段。
%K 微电路
%K 增强光电流模型
%K wirth-rogers光电流模型
%K 过剩少数载流子
%K 高阻材料
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract1039.shtml