%0 Journal Article
%T ingaassb/gasb量子阱能带结构及自发发射谱
%A 安宁
%A 李占国
%A 何斌太
%A 芦鹏
%A 方铉
%A 魏志鹏
%A 刘国军
%J 强激光与粒子束
%D 2014
%X ？讨论了不同in组分对ingaassb/gasb量子阱能带结构，即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的ingaassb禁带宽度与in组分的关系。分析了in组分对ingaassb/gasb导带、价带带阶的作用。研究表明，随in组分的增加，ingaassb禁带宽度减小，应力加大，能带漂移增大，ingaassb/gasb导带、价带的带阶减小。同时，利用上述研究结果合理地解释了ingaassb/gasb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与in组分关系。研究in组分对ingaassb/gasb量子阱能带结构及自发发射谱的影响，可以定性地解释已有的实验报道。
%K ingaassb/gasb
%K 应变量子阱
%K 能带结构
%K 自发发射谱
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract9671.shtml