%0 Journal Article
%T 微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究
%A 杨洁
%A 王长河
%A 刘尚合
%J 强激光与粒子束
%P 0-0
%D 2007
%X ？在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中，针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验，结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是eb结（发射极-基极），而是cb结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析，分别得出了cb结、eb结的损伤机理：随放电电压的增大，热载流子撞击界面，使流经界面处的少数载流子复合速度增加，少数载流子在界面处及界面附近被复合，从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入，器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了cb结比eb结更敏感。
%K 微波低噪声硅晶体管
%K 静电放电
%K 方波电磁脉冲
%K 损伤电压
%K 损伤机理
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract2846.shtml