%0 Journal Article
%T 一种新的半导体材料和器件结构：cos
%A 阎志军
%A 王迅
%J 物理
%P 0-0
%D 2002
%X ？国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到01μm以下，sio-2作为mos器件栅介质遇到不可克服的困难.人们在寻找新的栅介质材料时，提出了一种新的结构，称为半导体上的晶态氧化物（cos）.最近，cos被用作si衬底上生长gaas的过渡层，成为半导体材料和器件发展中一项新的突破.文章对这一结构的进展情况做一简要介绍.
%K 晶态氧化物
%K mos晶体管
%K 硅基集成
%K 新材料
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract30066.shtml