%0 Journal Article
%T 石墨插层化合物
%A 陆栋
%J 物理
%P 0-0
%D 1987
%X ？近二十年来，科学技术突飞猛进，低维物理学研究的发展是这总趋势中的一个方面．ｍｏｓｆｅｔ（金属－氧化物－硅场效应晶体管）技术的发展开辟了二维电子气物性研究的新局面．量子霍耳效应、分数量子霍耳效应以及定域化现象的研究成为物理学的前沿．分子束外延技术结合超高真空技术和计算机控制提供可能制造人们设计的种种奇特的新材料，例如原子级明晰的界面，亚微米级的几何图案结构，非晶态或晶态的半导体超晶格和金属超晶?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28075.shtml