%0 Journal Article
%T a-si∶h薄膜及mwecr-cvd制备技术
%A 阴生毅
%A 陈光华
%J 物理
%P 0-0
%D 2004
%X ？文章回顾了a-si∶h薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-si∶h薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体cvd(mwecr-cvd)技术.该技术的特点是不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量.文章还分析了其制备a-si∶h薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向.
%K a-si∶h薄膜
%K 等离子体增强cvd
%K 微波电子回旋共振等离子体cvd
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract30432.shtml