%0 Journal Article
%T 极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展
%A 曾交龙
%A 高城
%A 袁建民
%J 物理
%P 0-0
%D 2007
%X ？现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化，因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外（euv）光源，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸，氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍euv光刻原理和euv光源基本概念的基础上，讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体euv光源，对euv光源的初步应用进行了简单介绍，并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实
%K 极端远紫外光刻（euvl）
%K euv光源
%K 激光、气体放电产生的等离子体euv光源
%K euv光源的发射与吸收性质
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract31040.shtml