%0 Journal Article
%T 高t_cnb-ge超导膜的制备及分析
%A 陈岚峰
%A 李林
%A 赵柏儒
%A 周萍
%A 郭树权
%A 赵有祥
%J 物理
%P 0-0
%D 1981
%X ？用直流吸气溅射法获得了ｔｃ１）起始等于２３ｋ的ｎｂ－ｇｅ膜．对样品进行了分析，初步总结了高ｔｃ－ａ１５ｎｂ３ｇｅ的成相规律，对与ｔｃ密切相关的因素进行了讨论．引言很多ａ１５型化合物具有超导电性且其超导转变温度ｔｃ很高．１９７３年，ｇａｖａｌｅｒ首次用直流低电压，高ａｒ气压力溅射法获得ｔｃ起始温度为２２ｋ的ｎｂ－ｇｅ膜［１］．其后，一些实验室相继报道了用沉积薄膜法得到ｔｃ起始≥２３ｋ的结果［２?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27235.shtml