%0 Journal Article
%T mos系统中钠离子的运动模型
%A 徐至中
%J 物理
%P 0-0
%D 1981
%X ？一、引言为了解决半导体硅器件特别是ｍｏｓ器件的稳定性问题，从六十年代中期开始，对ｍｏｓ系统中由于可动离子沾污而引起的不稳定性问题，进行了大量的工作．研究结果表明，ｎａ＋，ｋ＋，ｌｉ＋及ｆ－等在二氧化硅层中都是可以移动的[１，２］．在实际半导体硅器件中沾污最严重，对器件特性影响最大的是ｎａ＋．为了进一步控制钠离子沾污对器件特性的影响，人们用不同的电学测量方法[３］从各种不同角度对钠离子在氧化层中?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27187.shtml