%0 Journal Article
%T 氮掺杂sb<sub>2</sub>te<sub>3</sub>相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究
%A 秋沉沉
%A 张昕
%A 周乾飞
%A 吴晓京
%J 物理
%P 873-880
%D 2013
%X ？sb2te3(st)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(pld)制备了氮掺杂的sb2te3薄膜。用原子力显微镜(afm)对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态st薄膜和氮掺杂st薄膜表面粗糙度分别为0.12nm和0.58nm，表面较为平整。研究表明，pld法制备的氮掺杂st薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6at%的st薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。
%K 相变材料
%K 脉冲激光沉积
%K n掺杂sb2te3
%K 低功耗
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract57678.shtml