%0 Journal Article
%T 硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途
%A 王迅
%A 侯晓远
%A 郝平海
%J 物理
%P 0-0
%D 1992
%X ？由于ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅｖ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28963.shtml