%0 Journal Article
%T 减压充氮直拉硅单晶技术
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 物理
%P 0-0
%D 1991
%X ？硅单晶的生产方法有两种一是悬浮区熔法（ｆｚ），二是直拉切氏法（ｃｚ）．前者硅单晶纯度较高但单晶直径受到一定限制，后者已成为生长大直径硅单晶的主要方法．为保证产品质量，在采用直拉法时，必须使用保护气体在一定压力下生长晶体．氩为惰性气体中较为廉价的一种，因此采用氖保护气拉制硅单晶已成为国际上通行的技术和生产方法．更为廉价的氧、氮一直被视为会起化学反应而未被采用．浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28812.shtml