%0 Journal Article
%T 光电子学与光电子产业专题系列介绍量子阱电光调制器和光开关
%A 朱龙德
%J 物理
%P 0-0
%D 1992
%X ？讨论了半导体量子阱中量子限制ｓｔａｒｋ效应（ｑｃｓｅ）──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象．由于这个效应，量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制，其调制率比体村料大得多．利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关，利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关．这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小，可以和其他光器件单片集成，在光通信和光信息处理技术中有实用价值．也讨论了半导体超晶格中ｗａｎｎｉｅｒ－ｓｔａｒｋ局域化效应，它引起超晶格吸收边的兰移，这一效应也可用于制作光调制器和光
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28976.shtml