%0 Journal Article
%T 半导体强场效应的应用──微波雪崩管
%A 林鸿溢
%J 物理
%P 0-0
%D 1980
%X ？一、引言在强电场作用下，半导体具有若干异乎寻常的物理特性（见本文第三节），我们统称为强场效应．开始，这个问题是作为半导体材料（或器件）的一个限制而提出来的，即当场强达到某一定值时，将出现电击穿现象．这对半导体的实际应用是个限制．但是，深入的研究表明，在发生击穿之前（场强～１０’ｖ／ｃｍ）的小区域内（此区域称为雪崩倍增范围），半导体却得到了重要的应用，发展了新型的半导体器件──雪崩管［１－３］?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27034.shtml