%0 Journal Article
%T 用液相外延法制备insb(:zn)n~+-p材料
%A 吴长树
%A 李炽
%J 物理
%P 0-0
%D 1982
%X ？宫尾、亘池等人[１］采用滑动液相外延技术，在掺ｇｅ的ｐ型ｉｎｓｂ衬底片上，生长重掺ｔｅ的ｎ＋型外延层．由于ｎ＋层的简并所呈现的伯恩斯坦－莫斯（ｂｕｒｓｔｅｒ－ｍｏｓｓ）位移效应[２，３］，使入射光内３—５ｕｍ大气窗口波段的红外部分能透过ｎ＋层而无损耗地抵达耗尽层和ｐ型基片，在体内产生光生载流子而引起高效率的光生伏特效应．ｎ＋层载流子浓度和透过的红外光短波一侧的截止波长ｅｆｆ之间的关系为[１，３］....
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27358.shtml