%0 Journal Article
%T 一种新型soi结构——sige-oi材料研究进展
%A 安正华
%A 张苗
%A 门传玲
%A 谢欣云
%A 沈勤我
%A 林成鲁
%J 物理
%P 0-0
%D 2002
%X ？soi(silicononinsulator，绝缘层上的硅)技术和sige(silicongermanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术.sige-oi(sige-on-insulator，绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型soi材料，它同时具备了soi技术和sige技术的优势，因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一.文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作，综述了sige-oi材料研究情况和应用前景，详细介绍了其主要的制备方法，最后报道了作者在sige-oi材料研究上的一些实验结果.
%K 绝缘层上的硅
%K 锗硅
%K 绝缘层上的锗硅
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract30120.shtml