%0 Journal Article
%T 12mev电子辐照缺陷能级的研究
%A 吴凤美
%A 赖启基
%A 张莉华
%J 物理
%P 0-0
%D 1985
%X ？近年来，利用１—１２ｍｅｖ加速电子辐照，在硅材料中可以成功地引入复合中心，并代替扩金等工艺．它有效、精确地控制了器件寿命参数．全面衡量器件各参数，可以看出，１２ｍｅｖ电子辐照比低能量电子辐照或ｃｏ－ｒ，辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化．在１—１２ｍｅｖ电子辐照中，１２ｍｅｖ电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力．在相同的复合效果条件下，１２ｍｅｖ电子辐照又比ｒ辐照剂量小得多．本文研究在３×?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27862.shtml