%0 Journal Article
%T 集成电路中的物理问题讲座第六讲硅-二氧化硅系统中的电荷和界面陷阱
%A 陆德仁
%J 物理
%P 0-0
%D 1985
%X ？包括大规模集成电路在内的现代半导体器件，绝大部分是用硅平面工艺制造的．在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后，器件的芯片就制成了．平面工艺少不了硅表面的一层ｓｉｏ２膜，该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜，在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物，因此这些器件都包含ｓｉ-ｓｉｏ３系统．在ｍｏｓ器件中，还有较薄的优质ｓｉｏ２作栅极的介质，它是决定该类器件功能的....
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27864.shtml