%0 Journal Article
%T 直拉硅单晶中的氧沉淀
%A 钱家骏
%A 崔树范
%J 物理
%P 0-0
%D 1985
%X ？目前世界上硅单晶材料中，９０％是用直拉（ｃｚ）方法生长的．在这种方法中，固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应ｓｉ＋ｓｉｏ２→２ｓｉｏ（ｉ）虽然在一般晶体生长温度（～１４２０℃）下，ｓｉｏ是挥发的，但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里，并通过固液界面进入晶体．通常的ｃｚ硅中含有～１０１８／ｃｍ３的氧（较ｆｚ硅高１－２数量级）．作为硅中的杂质，如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成，那?...
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract27791.shtml