%0 Journal Article
%T 正电子湮没技术在gaas研究中的应用
%A 唐超群
%J 物理
%P 0-0
%D 1989
%X ？本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体ｇａａｓ进行的以下几方面研究生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．
%U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28431.shtml