%0 Journal Article %T 正电子湮没技术在gaas研究中的应用 %A 唐超群 %J 物理 %P 0-0 %D 1989 %X ?本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体gaas进行的以下几方面研究生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷. %U http://www.wuli.ac.cn/CN/abstract/abstract28431.shtml