%0 Journal Article
%T NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽
%A 陈建军
%A 陈书明
%A 梁斌
%A 刘征
%A 刘必慰
%A 秦军瑞
%J 电子学报
%P 996-1001
%D 2011
%X 本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130nm体硅工艺下,计算SET脉冲宽度的解析模型,并结合NBTI阈值电压退化的解析模型,建立了预测SET脉冲宽度在产生的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,TCAD器件模拟的结果与解析模型的预测一致;本文还进一步建立了预测SET脉冲宽度在传播的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,SPICE电路模拟的结果与解析模型所预测的结论一致.
%K 负偏置温度不稳定性(NBTI)
%K 单粒子瞬态(SET)脉冲
%K 脉冲展宽
%K 解析模型
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract4680.shtml