%0 Journal Article
%T GeSiMOSFET的纵向结构对器件性能的影响
%A 董志伟
%A 黎晨
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%J 电子学报
%P 139-141
%D 2000
%X 为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析.确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系.并且在此基础上得出了一些有意义的结果.为了更细致、精确地进行分析,我们分别对GeSiPMOSFET和GeSiNMOSFET在MEDICI上做了模拟.
%K GeSiMOSFET
%K 器件模型
%K 模拟
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract141.shtml