%0 Journal Article
%T 用于智能功率集成电路中的LDMOS/LIGBT混合结构
%A 朱小安
%A 李学宁
%A 方健
%A 杨健
%A 李肇基
%J 电子学报
%P 122-124
%D 2000
%X 本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构.它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点,并且衬底电流小,能很好的抗闭锁.利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号.数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电路中的高、低压端信号传输具有突出的优点.
%K 绝缘栅双极晶体管
%K 双扩散MOS晶体管
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract5068.shtml