%0 Journal Article
%T 超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
%A 奚雪梅
%A 张兴
%A 倪卫华
%A 阎桂珍
%A 王阳元
%J 电子学报
%P 44-46
%D 2000
%X 利用CMOS/SOI工艺在4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路,从单管的开关电流比看,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流.所研制的51级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能,5V电源电压下单门延迟时间达到92ps,同时可工作的电源电压范围较宽,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景.
%K CMOS/SOI
%K MOSFET
%K 环振电路
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3725.shtml