%0 Journal Article
%T 高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析
%A 施卫
%A 梁振宪
%J 电子学报
%P 20-23
%D 2000
%X 首次提出"发光畴"模型对强电场下GaAs光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释.其要点是:光注入载流子引起开关电场畸变,开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴,畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增,相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲,畴的运动与发光使载流子以108cm/s的速度穿越电极间隙,畴生存条件决定Lock-on电场,当外电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时,开关电阻恢复.
%K 光电导开关
%K Lock-on效应
%K 碰撞电离
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract721.shtml