%0 Journal Article
%T Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性
%A 张万荣
%A 李志国
%A 王立新
%A 汪东
%A 崔福现
%A 孙英华
%A 程尧海
%A 陈建新
%A 沈光地
%A 罗晋生
%J 电子学报
%P 1132-1134
%D 2001
%X 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极——发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用.
%K SiGe/Si异质结双极晶体管
%K 负阻
%K 输出特性
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract6503.shtml