%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉
%A 程兴奎
%A 黄柏标
%A 徐现刚
%A 任红文
%A 刘士文
%A 蒋民华
%J 电子学报
%P 692-694
%D 2001
%X 由电子波干涉的观点出发,理论分析指出:多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.
%K GaAs
%K 多量子阱
%K 电子干涉
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3958.shtml