%0 Journal Article
%T SiCMESFET的大信号电容解析模型
%A 杨林安
%A 于春利
%A 张义门
%A 张玉明
%J 电子学报
%P 229-231
%D 2002
%X 考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论,结合双曲正切函数的描述方法,导出了适用于4H-SiCMESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型,其模拟结果与实验值有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点,非常适合于微波器件结构及电路的设计.
%K 碳化硅
%K 射频
%K 金属半导体场效应晶体管
%K 电容模型
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract2101.shtml