%0 Journal Article
%T 适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析
%A 张国艳
%A 廖怀林
%A 黄如
%A Mansun
%A CHAN
%A 张兴
%A 王阳元
%J 电子学报
%P 232-235
%D 2002
%X 本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.
%K 失真分析
%K 幂级数方法
%K 失真模型
%K SOIMOSFET
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3615.shtml