%0 Journal Article
%T 4H-SiCnpnBJT特性研究
%A 龚欣
%A 张进城
%A 郝跃
%A 张晓菊
%J 电子学报
%P 2201-2204
%D 2003
%X 基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型,为4H-SiC的工艺与器件提供了设计平台.在此基础上对4H-SiCBJT器件进行了模拟研究.结果显示,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益β为32.4,击穿电压BVCEO大于800V,截止频率fT接近1GHZ.
%K 4H-SiC
%K 物理模型
%K 双极型晶体管
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract7431.shtml