%0 Journal Article
%T 超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
%A 郝跃
%A 韩晓亮
%A 刘红侠
%J 电子学报
%P 2063-2065
%D 2003
%X 本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO2界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.
%K NBTI效应
%K PMOSFET
%K 界面态
%K 正氧化层固定电荷
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract7396.shtml