%0 Journal Article
%T ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究
%A 叶志镇
%A 张银珠
%A 陈汉鸿
%A 何乐年
%A 邹璐
%A 黄靖云
%A 吕建国
%J 电子学报
%P 1605-1607
%D 2003
%X 以Si(111)衬底,用脉冲激光沉积(PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器.Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的.对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触,紫外探测器的电阻值在100KΩ左右.在紫外区域,其5V偏压下的光响应度为0.5A/W.
%K ZnO薄膜
%K 光电导紫外探测器
%K 欧姆接触
%K 光响应度
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract3008.shtml