%0 Journal Article
%T 浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析
%A 贺朝会
%A 耿斌
%A 杨海亮
%A 陈晓华
%A 李国政
%A 王燕萍
%J 电子学报
%P 1260-1262
%D 2003
%X 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同,分析了其不同的原因.与SRAM相比,浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级;31.9MeV质子注量阈值高4个量级;总剂量损伤阈值相差不大,都在104rad(Si)量级左右.这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的.在空间辐射环境中,不需经常擦写数据的情况下,应该选用浮栅ROM器件.
%K FLASHROM
%K EEPROM
%K SRAM
%K 单粒子效应
%K 总剂量效应
%U http://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/abstract444.shtml